U.S. Government Selects Navitas to Develop Next-Generation 10 kV SiC Power Semiconductors

나비타스 세미컨덕터가 미국 정부의 ALATTIS 프로그램 개발 기업으로 선정됐다고 28일 발표했어요. 회사는 차세대 10kV 탄화규소 전력 반도체 기술과 대면적 탄화규소 절연 게이트 양극성 트랜지스터를 개발할 예정이에요.

정부 주도 개발 프로그램 참여는 나비타스가 질화갈륨 중심 사업에서 탄화규소 전력 반도체로 기술 영역을 넓히는 계기가 될 수 있어요. 다만 이번 발표만으로 매출이나 수익성에 반영되는 시점은 후속 개발과 사업화 진행을 함께 봐야 해요.